背景:In2O3是最重要的半導體金屬氧化物之一,主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此,可以使用可擴展且廉價的基于溶液的沉積方法來制備高質(zhì)量的In2O3薄膜,從而使···
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背景:金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應(yīng)用提供了絕佳的機會。不幸的是,它們的性能受到與寄生效應(yīng)相關(guān)的限制的阻礙,例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻,這會嚴重限制···
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